湖北臺基半導體股份有限公司 臺基股份 TECHSEM
  -- 站內公告 --
    湖北臺基半導體股份有限公司位于襄樊市襄城南郊,峴山北麓,內資股份制企業。臺基公司是湖北省09年13家上市重點后備企業、湖北省100家優秀納稅企業、省重合同守信用單位,湖北省著名商標和精品名牌企業。公司注冊資本4420萬元,主營TECHSEM牌晶閘管及其模塊的研發、制造和銷售,是中國功率半導體器件的主要制造商之一,綜合實力位居國內功率半導體行業前三強。產品廣泛應用于金屬熔煉、工業加熱、電機調速、軟啟動、發配電等領域,以品種齊全、質量可靠、服務誠信享譽和暢銷全國,并銷往歐美、韓國、臺灣及東南亞等國家和地區。
    臺基公司人才齊全,產能優勢突出。現在職員工510人,其中享受國務院津貼專家1名,工程碩士8人,高級工程師12人,技術研發人員32人。公司是國家電力電子行業協會副理事長單位、湖北省高新技術企業,擁有省級企業技術中心。公司一直專注于大功率晶閘管及模塊的研發、制造、銷售及相關服務。目前,公司已形成年產80萬只大功率晶閘管及模塊的生產能力,是我國銷量領先的大功率半導體器件供應商。經過持續的技術引進和自主研發,公司已經掌握大功率晶閘管的核心技術。目前,公司正在研制具有國際級技術水平的6500V全壓接大功率晶閘管、焊接式模塊的制造技術以及IGBT的封裝技術,技術水平位于國內同行前列。
   公司建立了遍及全國的銷售網絡,在國內擁有約850家直營客戶(整機設備制造商),其中75家大客戶為電力電子應用領域的龍頭和骨干企業;同時還擁有49家特約經銷商,5家一般經銷商,觸角延伸至全國各地,銷售渠道在同業中具有明顯的比較優勢。報告期內,公司主導產品在國內連續保持年銷售數量領先,銷售收入前三位,其中在感應加熱應用領域的市場占有率超過50%,保持全國前列。綜合實力長期位居國內大功率半導體行業前三強。
    公司是國內大功率半導體器件領域為數不多的掌握前道(擴散)技術、中道(芯片制成)技術、后道(封裝測試)技術并掌握大功率半導體器件設計、制造核心技術并形成規模化生產的企業。公司現擁有5項專利,8項專利申請權(其中2項發明專利申請權),22項非專利技術。公司主要技術人員累計參與起草了11項國家或行業標準。公司以技術中心總協調、以技術開發部為依托開展研發,并與華中科技大學聯合設立儀華電力電子技術研究所(非法人機構);公司先后承擔了國家發改委、科技部、商務部的國家級重點火炬計劃項目等多項重點項目。
    公司2005年12月通過ISO9001:2000質量體系認證;2006年初公司產品通過了SGS通標公司的ROHS檢測;2007年12月,公司產品通過了CE認證,并錄入了鐵道部《機車重要件定點驗收目錄》; 2009年7月,公司通過了ISO9001:2008質量體系認證。公司2004年起一直被評為高新技術企業。
  -- 產品搜索 --
  -- 電子商城  --

進入商城訂購
  -- 應用指南 --
 
晶閘管保護電路
 
功率器件技術與電源技...
 
晶閘管在低溫條件下的使用
 
晶閘管串、并聯配對選...
 
門極觸發強度對晶閘管...
  更多內容>>
  -- 在線客服 --
點擊這里給我發消息
 
 
  -- 未指定小類 --
 
 
  改進的晶閘管高di/dt性能  
[2009-4-2]    字號:[][][]
 
隨著晶閘管在各類大功率感應加熱電源、變頻器、交流開關、電機控制、脈沖功率等領域的應用逐步擴大,越來越多的用戶對晶閘管器件提出了較高的電流上升率要求。襄樊臺基半導體有限公司(原襄樊儀表元件廠)在原產品的基礎上,通過優化設計和嚴格的工藝控制,大大提升了器件的開通臨界電流上升率di/dt。經測試,所生產的高頻、快速、普通系列晶閘管di/dt性能已達到國外同類產品水平。
一.             晶閘管高di/dt性能
晶閘管的開通臨界電流上升率,反映了器件的大電流迅速開通能力。它與器件的開通速度、開通損耗、芯片局部熱分布參數、熱容量、熱極限承受能力等因素均有關系。襄樊臺基公司通過改善器件的分布式擴展門極結構、增強器件局部瞬時浪涌溫度承受能力,大大提升了器件的di/dt能力。目前主要產品的di/dt指標如下:
普通晶閘管系列  (A/µs)    
型號
di/dt(不重復)
di/dt(重復)
Y24KP-Y40KP
400
200
Y40KP-55KP
600
350
Y60KP-Y89KP
700
400
 
 
 
 
 
 
 高頻、快速晶閘管系列  (A/µs)                         
型號
di/dt(不重復)
di/dt(重復)
KA
1500
1000
Y30KK-Y40KK
1500
800
Y45KK-Y89KK
1500
1000
 
 
 
 
 
 
圖一為Y70KKG晶閘管di/dt=1500A/µs測試時的電壓和電流波形。
  注:測試條件                                                  
  芯片結溫:普通晶閘管:Tj=125°C,  高頻、快速晶閘管:Tj=115°C
  門極條件:門極電流IG=5IGT,  門極上升時間tr=1µs
 
二.             晶閘管高di/dt應用
提高晶閘管的臨界電流上升率,對于用戶使用有明顯的意義。
1.    晶閘管的高di/dt,可以在許多場合省去了串聯在晶閘管上的保護電感線圈,簡化了整機設計,減小了設備成本。
2.  在并聯逆變工作線路中,
晶閘管的高di/dt性能可使設計者減小晶閘管的換流時間,提高設備的工作頻率。
3.  晶閘管的高di/dt性能可使它方便地應用于部分脈沖功率電源領域。
 
三.             晶閘管工作于高di/dt時需注意事項
1.    晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結溫有直接關系,di/dt承受能力隨著溫度的上升會有明顯的下降。因此用戶在使用時必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中,普通晶閘管:Tj≤125°C,高頻、快速晶閘管:Tj≤115°C。
2.晶閘管的di/dt承受能力實際反映了器件的電流快速開通能力,它受器件門極觸發條件影響很大。采用上升率極陡的強觸發脈沖,可以明顯減小器件開通時間和開通損耗,增強器件di/dt承受能力。我們建議的觸發脈沖要求為:
觸發電流幅值:IGM=4-10IGT
觸發電流上升時間:tr小于1µs
3.晶閘管在承受過高的di/dt時,會在其芯片產生局部瞬時高溫,這種局部瞬時高溫在長期工作中會影響器件的工作壽命。因此,使用者在任何時候,都應保證di/dt不應超過器件生產廠家給出的規定值,并且留有一定裕量。
4.晶閘管的di/dt與其開通損耗關系極大,晶閘管高di/dt應用于高頻率場合時,需考慮開通損耗上升引起的結溫上升,用戶應考慮降低器件通過的通態電流或增強器件散熱能力。
 
[上一篇]門極觸發強度對晶閘管開通特性的  
[下一篇]高頻晶閘管新特性 [關閉窗口]    [返回頂部]
 
 
 
網站地圖

版權聲明:湖北臺基半導體股份有限有限公司

《中華人民共和國電信與信息服務業務經營許可證》序號:鄂ICP備05009355號

五月天网站-亚洲欧洲自拍图片专区-日本a级视频在线播放